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BC808-25

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小46KB,共1页
制造商Diodes Incorporated
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BC808-25概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

BC808-25规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)160
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

BC808-25相似产品对比

BC808-25 BC808-40
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
厂商名称 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
零件包装代码 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 160 250
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz
Base Number Matches 1 1

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