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HX6228TBFT

产品描述128K x 8 STATIC RAM-SOI HX6228
产品类别存储    存储   
文件大小152KB,共12页
制造商Honeywell
官网地址http://www.ssec.honeywell.com/
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HX6228TBFT概述

128K x 8 STATIC RAM-SOI HX6228

HX6228TBFT规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DFP
包装说明DFP, FL32,.6
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDFP-F32
JESD-609代码e0
长度20.828 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B
座面最大高度3.81 mm
最大待机电流0.0007 A
最小待机电流2.5 V
最大压摆率0.006 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量300k Rad(Si) V
宽度15.24 mm
Base Number Matches1
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