Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BP1A3M-A

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BP1A3M-A: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小114KB，共6页; 制造商NEC(日电)

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BP1A3M-A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

BP1A3M-A规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NEC(日电)
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.7 A
集电极-发射极最大电压	25 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	50
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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DATA SHEET

COMPOUND TRANSISTOR

BP1 SERIES

on-chip resistor PNP silicon epitaxial transistor

For mid-speed switching

The BP1 Series is an N type small signal transistor and enables the reduction of component counts and downsizing

of sets due to on-chip resistors. This transistor is especially ideal for use in household electronic appliances and OA

equipments such as VCRs and TVs.

FEATURES

• Up to 0.7 A current drive available

• On-chip bias resistor

• Low power consumption during drive

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

QUALITY GRADES

• Standard

Please refer to “Quality Grades on NEC Semiconductor

Devices” (Document No. C11531E) published by NEC Corporation

to know the specification of quality grade on the devices and its

recommended applications.

BP1 SERIES LISTS

Products

BP1A4A

BP1L2Q

BP1A3M

BP1F3P

BP1J3P

BP1L3N

BP1A4M

(KΩ)

−

0.47

1.0

2.2

3.3

4.7

(KΩ)

4.7

1.0

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D11740EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

BP1A3M-A相似产品对比

	BP1A3M-A	BP1A4M-A	BP1J3P-A	BP1L3N-A	BP1A4A-A	BP1L2Q-A	BP1F3P-A
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
厂商名称	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 3.03	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13	BUILT IN BIAS RESISTOR	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.55
最大集电极电流 (IC)	0.7 A	0.7 A	0.7 A	0.7 A	0.7 A	0.7 A	0.7 A
集电极-发射极最大电压	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	50	50	50	50	50	50	50
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1

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