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CY21L48-55DM

产品描述Standard SRAM, 1KX4, 55ns, CMOS, CDIP18
产品类别存储    存储   
文件大小299KB,共6页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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CY21L48-55DM概述

Standard SRAM, 1KX4, 55ns, CMOS, CDIP18

CY21L48-55DM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
包装说明DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度4096 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
端子数量18
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大压摆率0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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