75 A, 60 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
参数名称 | 属性值 |
最小击穿电压 | 60 V |
端子数量 | 3 |
状态 | Active |
壳体连接 | DRAIN |
结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最大漏电流 | 75 A |
最大漏极导通电阻 | 0.0100 ohm |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
jedec_95_code | TO-220AB |
jesd_30_code | R-PSFM-T3 |
jesd_609_code | e3 |
moisture_sensitivity_level | NOT SPECIFIED |
元件数量 | 1 |
操作模式 | ENHANCEMENT MODE |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | FLANGE MOUNT |
eak_reflow_temperature__cel_ | NOT SPECIFIED |
larity_channel_type | N-CHANNEL |
qualification_status | COMMERCIAL |
表面贴装 | NO |
端子涂层 | TIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
ime_peak_reflow_temperature_max__s_ | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
HUF76443S3S | HUF76443P3 | |
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描述 | 75 A, 60 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 75 A, 60 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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