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HUF75645P3

产品描述75 A, 100 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小202KB,共10页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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HUF75645P3概述

75 A, 100 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

75 A, 100 V, 0.014 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

HUF75645P3规格参数

参数名称属性值
Brand NameFairchild Semiconduc
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-220
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
制造商包装代码TO-220, MOLDED, 3LEAD, JEDEC VARIATION AB
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptiFairchild HUF75645P3 N-channel MOSFET Transistor, 75 A, 80 V, 3-Pin TO-220AB
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)75 A
最大漏极电流 (ID)75 A
最大漏源导通电阻0.014 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)310 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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