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7204L50JB

产品描述FIFO, 4KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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文件大小966KB,共13页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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7204L50JB概述

FIFO, 4KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

7204L50JB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFJ
包装说明QCCJ,
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间50 ns
周期时间65 ns
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
长度13.9954 mm
内存密度36864 bit
内存宽度9
功能数量1
端子数量32
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织4KX9
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B
座面最大高度3.556 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11.4554 mm
Base Number Matches1
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