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SMOS48N50

产品描述POWER MOSFETS
文件大小75KB,共2页
制造商ETC
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SMOS48N50概述

POWER MOSFETS

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SMOS44N50, SMOS48N50
Power MOSFETs
S
D
Dimensions SOT-227(ISOTOP)
Dim.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Millimeter
Min.
Max.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
37.80
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
3.30
0.780
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.20
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
4.57
0.830
Inches
Min.
Max.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.489
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.130
19.81
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
0.180
21.08
S
G
L
M
N
O
P
Q
G=Gate, D=Drain,S=Source
R
S
T
U
V
W
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
T
J
=25
o
C
to 150
o
C
Test Conditions
Maximum Ratings
500
500
±20
±30
44N50
48N50
44
48
176
192
24
30
Unit
V
T
J
=25
o
C
to 150
o
C;
R
GS
=1M
Continuous
Transient
T
C
=25
o
C
T
C
=25
o
C;
pulse width limited by T
JM
T
C
=25
o
C
T
C
=25
o
C
I
S
T
J
I
DM
; di/dt
100A/us; V
DD
V
DSS'
150
o
C;
R
G
=2
V
A
I
DM
44N50
48N50
A
A
mJ
V/ns
I
AR
E
AR
dv/dt
5
P
D
T
C
=25
o
C
520
W

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