电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

5962-3826705MUA

产品描述EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
产品类别存储    存储   
文件大小279KB,共16页
制造商Atmel (Microchip)
下载文档 详细参数 全文预览

5962-3826705MUA概述

EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

5962-3826705MUA规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码QFJ
包装说明QCCN, LCC32,.45X.55
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间150 ns
其他特性AUTOMATIC WRITE
命令用户界面NO
数据轮询YES
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-CQCC-N32
JESD-609代码e0
长度13.95 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装等效代码LCC32,.45X.55
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
页面大小128 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度2.54 mm
最大待机电流0.00085 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位YES
宽度11.4 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
Base Number Matches1
【晒样片】TI设计套装身体成分+工业电池监控方案应用  
[i=s] 本帖最后由 yedaochang 于 2014-7-24 21:11 编辑 [/i][b]第一步:样品申请[/b][b][url=http://www.ti.com.cn/ww/TIDesigns/2014_03.html#Design04][color=#800080]具有身体成分测量功能并支持 BLE 连接的体重计参考设计[/color][/url]+[url=http://adc...
yedaochang TI技术论坛
逆变器的两种电流型控制方式
逆变器的两种电流型控制方式 摘要:研究分析了逆变器的两种双环瞬时反馈控制方式——电流型准PWM控制方式和三态DPM电流滞环跟踪控制方式,介绍其工作原理,分析比较其动态和静态性能,并给出具体实现电路及系统仿真结果。 关键词:PWM逆变器功率变换器控制     电流型双环控制技术在DC/DC变换器中广泛应用,较单电压环控制可以获得更优良的动态和静态性能[3]。其基本思路是以外环电压调节器的输出作为内环...
zbz0529 工控电子
求一个LVDS信号转VGA输出的设计方案
现求一个将16位LVDS信号(兼容八位)经过DSP后,按VGA格式输出,输出要求不高,可以是800*600*60HZ以上即可。电源12V或者5V,对成本控制有一定要求。希望各位DX提供帮助,QQ348342617,谢谢...
dw772 DIY/开源硬件专区
24GHz至44GHz宽带集成上变频器和下变频器可提升微波无线电性能,同时缩小尺寸
24GHz至44GHz宽带集成上变频器和下变频器可提升微波无线电性能,同时缩小尺寸ADI公司推出了一对高集成的微波上下变频器,ADMV1013和ADMV1014。这两颗器件的工作频率极宽,从24 GHz到44 GHz,并提供50 Ω匹配,同时可以支持大于1 GHz的瞬时带宽。ADMV1013和ADMV1014的性能特性简化了小型5G毫米波(mmW)平台的设计和实现,这些平台包括回传和前...
btty038 RF/无线
不采用dds技术,做一个正弦波发生器
请问怎么做一个正弦波发生器,不采用dds技术,请高手指教...
量子阱 FPGA/CPLD
波特率和时间的关系,以及三极管/MOS在通讯接口电平转换的应用问题
波特率和时间的关系,以及三极管/MOS在通讯接口电平转换的应用问题MCU的串口电压域是3V的,传感器是5V的串口电压域。为了能正常的通讯且考虑成本,没有用TI的sn74lvc2t45、润石的RS0102、瑞盟的MS4553M等那些电平转换芯片。而是用了两个MOS/三极管。我的问题是,串口通讯的波特率或者其他通讯的通讯速率和三极管/MOS管导通速度的关系,如果导通不及时或者延时,可能就会导致数据丢失...
QWE4562009 分立器件

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 16  293  943  1050  1063 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved