FIFO, 512X9, 20ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
针数 | 28 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 20 ns |
其他特性 | RETRANSMIT |
最大时钟频率 (fCLK) | 33.33 MHz |
周期时间 | 30 ns |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 37.211 mm |
内存密度 | 4608 bit |
内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
内存宽度 | 9 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
字数 | 512 words |
字数代码 | 512 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 512X9 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | NO |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP28,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 Class B |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大待机电流 | 0.0009 A |
最大压摆率 | 0.14 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
宽度 | 15.24 mm |
Base Number Matches | 1 |
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