Mixer Diode, Ultra High Frequency, Silicon
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最小击穿电压 | 8 V |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
最大二极管电容 | 1 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | MIXER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 0.45 V |
频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY |
JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -60 °C |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
最大功率耗散 | 0.15 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大反向电流 | 0.1 µA |
表面贴装 | NO |
技术 | SCHOTTKY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
Base Number Matches | 1 |
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