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M24C01-RDS3T/W

产品描述1K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8
产品类别存储    存储   
文件大小302KB,共40页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M24C01-RDS3T/W概述

1K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8

1K × 8 I2C/2-线 串行 电可擦除只读存储器, PDIP8

M24C01-RDS3T/W规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明3 X 3 MM, TSSOP-8
针数8
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码S-PDSO-G8
JESD-609代码e0
长度3 mm
内存密度1024 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数128 words
字数代码128
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织128X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.19
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.1 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.0008 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护HARDWARE
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