电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HSU88

产品描述SILICON, MIXER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小21KB,共5页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 全文预览

HSU88概述

SILICON, MIXER DIODE

HSU88规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明R-PDSO-G2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最大二极管电容0.8 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)0.58 V
JESD-30 代码R-PDSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.015 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压10 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
HSU88
Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, Mixer
ADE-208-077G(Z)
Rev 7
Dec 1999
Features
Low capacitance. (C=0.8pF max)
Low forward voltage.
Ultra small Resin Package (URP) is suitablefor high density surface mounting and high speed assembly.
Ordering Information
Type No.
HSU88
Laser Mark
9
Package Code
URP
Outline
Cathode mark
Mark
1
9
2
1. Cathode
2. Anode

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1640  1551  2144  1506  1162  24  19  56  28  10 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved