Flash, 32MX16, 40ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | TFBGA, BGA63,10X12,32 |
针数 | 63 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
最长访问时间 | 40 ns |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | NO |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B63 |
长度 | 11 mm |
内存密度 | 536870912 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 4K |
端子数量 | 63 |
字数 | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 32MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装等效代码 | BGA63,10X12,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
页面大小 | 256 words |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 1.8 V |
编程电压 | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
座面最大高度 | 1.2 mm |
部门规模 | 8K |
最大待机电流 | 0.00005 A |
最大压摆率 | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
切换位 | NO |
宽度 | 9 mm |
Base Number Matches | 1 |
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