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M24C02-RBN6

产品描述256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8
产品类别存储    存储   
文件大小139KB,共25页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M24C02-RBN6概述

256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8

256 × 8 I2C/2-线 串行 电可擦除只读存储器, PDSO8

M24C02-RBN6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码DIP
包装说明PLASTIC, DIP-8
针数8
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
长度9.27 mm
内存密度2048 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数256 words
字数代码256
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256X8
输出特性OPEN-DRAIN
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.33 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.0008 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn60Pb40)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护HARDWARE
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