M24C04-RDW3T,M24C04-RDW3T pdf中文资料,M24C04-RDW3T引脚图,M24C04-RDW3T电路-Datasheet-电子工程世界

M24C04-RDW3T: 产品描述1K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8; 产品类别存储存储; 文件大小302KB，共40页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M24C04-RDW3T概述

1K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8

1K × 8 I2C/2-线串行电可擦除只读存储器, PDIP8

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	SOIC
包装说明	0.169 INCH, TSSOP-8
针数	8
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDMR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0
长度	4.4 mm
内存密度	4096 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	512 words
字数代码	512
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2/5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	AEC-Q100
座面最大高度	1.2 mm
串行总线类型	I2C
最大待机电流	0.000001 A
最大压摆率	0.0008 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
写保护	HARDWARE

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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