FDS2670L86Z,FDS2670L86Z pdf中文资料,FDS2670L86Z引脚图,FDS2670L86Z电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> FDS2670L86Z

FDS2670L86Z: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小107KB，共6页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

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FDS2670L86Z概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

FDS2670L86Z规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Fairchild
零件包装代码	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	3 A
最大漏源导通电阻	0.13 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
元件数量	1
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

FDS2670L86Z相似产品对比

	FDS2670L86Z	FDS2670D84Z	FDS2670L99Z	FDS2670S62Z
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
厂商名称	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild
零件包装代码	SOT	SOT	SOT	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数	8	8	8	8
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V	200 V	200 V	200 V
最大漏极电流 (ID)	3 A	3 A	3 A	3 A
最大漏源导通电阻	0.13 Ω	0.13 Ω	0.13 Ω	0.13 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
元件数量	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1

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