M24C04-WDS3G,M24C04-WDS3G pdf中文资料,M24C04-WDS3G引脚图,M24C04-WDS3G电路-Datasheet-电子工程世界

M24C04-WDS3G: 产品描述256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8; 产品类别存储存储; 文件大小139KB，共25页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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M24C04-WDS3G概述

256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8

256 × 8 I2C/2-线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	SOIC
包装说明	3 X 3 MM, LEAD FREE, TSSOP-8
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDMR
JESD-30 代码	S-PDSO-G8
JESD-609代码	e4
长度	3 mm
内存密度	4096 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	8
字数	512 words
字数代码	512
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP8,.19
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3/5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	AEC-Q100
座面最大高度	1.1 mm
串行总线类型	I2C
最大待机电流	0.000002 A
最大压摆率	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
写保护	HARDWARE

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