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HCTS132DMSH

产品描述IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NAND,CMOS, RAD HARD,DIP,14PIN,CERAMIC
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小226KB,共6页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HCTS132DMSH概述

IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NAND,CMOS, RAD HARD,DIP,14PIN,CERAMIC

HCTS132DMSH规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codenot_compliant
JESD-30 代码R-XDIP-T14
JESD-609代码e0
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.004 A
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup22 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器YES
筛选级别38535V;38534K;883S
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
总剂量1M Rad(Si) V
Base Number Matches1

HCTS132DMSH相似产品对比

HCTS132DMSH 5962R9573901VCC 5962R9573901VXC HCTS132KMSH
描述 IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NAND,CMOS, RAD HARD,DIP,14PIN,CERAMIC HCT SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14 HCT SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDFP14 IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NAND,CMOS, RAD HARD,FP,14PIN,CERAMIC
Reach Compliance Code not_compliant unknow unknown not_compliant
JESD-30 代码 R-XDIP-T14 R-CDIP-T14 R-CDFP-F14 R-XDFP-F14
JESD-609代码 e0 e4 e4 e0
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
端子数量 14 14 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC
封装代码 DIP DIP DFP DFP
封装等效代码 DIP14,.3 DIP14,.3 FL14,.3 FL14,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE FLATPACK FLATPACK
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 YES YES YES YES
筛选级别 38535V;38534K;883S 38535V;38534K;883S 38535V;38534K;883S 38535V;38534K;883S
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) GOLD GOLD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE FLAT FLAT
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
总剂量 1M Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 1M Rad(Si) V
Base Number Matches 1 1 1 1
Prop。Delay @ Nom-Sup 22 ns - 25 ns 22 ns
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