M24C16-RMB6,M24C16-RMB6 pdf中文资料,M24C16-RMB6引脚图,M24C16-RMB6电路-Datasheet-电子工程世界

M24C16-RMB6: 产品描述256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8; 产品类别存储存储; 文件大小139KB，共25页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M24C16-RMB6概述

256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8

256 × 8 I2C/2-线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	SOIC
包装说明	HVSON, SOLCC8,.11,20
针数	8
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010MMMR
JESD-30 代码	R-XDSO-N8
JESD-609代码	e0
长度	3 mm
内存密度	16384 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	2KX8
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	HVSON
封装等效代码	SOLCC8,.11,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	0.6 mm
串行总线类型	I2C
最大待机电流	0.000001 A
最大压摆率	0.0008 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	2 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
写保护	HARDWARE
Base Number Matches	1

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