电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

M24C16-RMB6G

产品描述256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8
产品类别存储    存储   
文件大小139KB,共25页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

M24C16-RMB6G概述

256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8

256 × 8 I2C/2-线 串行 电可擦除只读存储器, PDSO8

M24C16-RMB6G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明HVSON, SOLCC8,.11,20
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010MMMR
JESD-30 代码R-XDSO-N8
长度3 mm
内存密度16384 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数2048 words
字数代码2000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码HVSON
封装等效代码SOLCC8,.11,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.6 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.0008 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度2 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 349  480  736  899  1196 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved