BCT/FBT SERIES, OCTAL 1-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-20
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 控制类型 | ENABLE LOW |
| 计数方向 | UNIDIRECTIONAL |
| 系列 | BCT/FBT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 |
| 长度 | 24.195 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.048 A |
| 位数 | 1 |
| 功能数量 | 8 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | OPEN-COLLECTOR |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 最大电源电流（ICC） | 76 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 11.1 ns |
| 传播延迟（tpd） | 11.1 ns |
| 认证状态 | Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 翻译 | N/A |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-9093801MRX | SIT9025AIF22-33SI25.000625D | 5962-9093801M2X | |
|---|---|---|---|
| 描述 | BCT/FBT SERIES, OCTAL 1-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-20 | LVCMOS Output Clock Oscillator, 25.000625MHz Nom, | BCT/FBT SERIES, OCTAL 1-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown | compliant |
| 零件包装代码 | DIP | - | QLCC |
| 包装说明 | DIP, | - | QCCN, |
| 针数 | 20 | - | 20 |
| 控制类型 | ENABLE LOW | - | ENABLE LOW |
| 计数方向 | UNIDIRECTIONAL | - | UNIDIRECTIONAL |
| 系列 | BCT/FBT | - | BCT/FBT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 | - | S-CQCC-N20 |
| 长度 | 24.195 mm | - | 8.89 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | - | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER | - | BUS DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.048 A | - | 0.048 A |
| 位数 | 1 | - | 1 |
| 功能数量 | 8 | - | 8 |
| 端口数量 | 2 | - | 2 |
| 端子数量 | 20 | - | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | - | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | - | -55 °C |
| 输出特性 | OPEN-COLLECTOR | - | OPEN-COLLECTOR |
| 输出极性 | TRUE | - | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | - | QCCN |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | - | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 最大电源电流（ICC） | 76 mA | - | 76 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 11.1 ns | - | 11.1 ns |
| 传播延迟（tpd） | 11.1 ns | - | 11.1 ns |
| 认证状态 | Qualified | - | Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 | - | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | - | 2.03 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | - | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V |
| 表面贴装 | NO | - | YES |
| 技术 | BICMOS | - | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY | - | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | - | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 翻译 | N/A | - | N/A |
| 宽度 | 7.62 mm | - | 8.89 mm |
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