1K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8
1K × 8 I2C/2-线 串行 电可擦除只读存储器, PDIP8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 9.27 mm |
| 内存密度 | 16384 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 2KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.33 mm |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| Base Number Matches | 1 |
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