1K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8
1K × 8 I2C/2-线 串行 电可擦除只读存储器, PDIP8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | 2 X 3 MM, MLP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 40 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 1010MMMR |
| JESD-30 代码 | R-XDSO-N8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 3 mm |
| 内存密度 | 16384 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 2KX8 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | VSON |
| 封装等效代码 | SOLCC8,.11,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | AEC-Q100 |
| 座面最大高度 | 0.6 mm |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大待机电流 | 0.000002 A |
| 最大压摆率 | 0.003 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 2 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| 写保护 | HARDWARE |
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