电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

M24C16-WMN6TG

产品描述2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8
产品类别存储    存储   
文件大小302KB,共40页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

M24C16-WMN6TG概述

2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8

2K × 8 I2C/2-线 串行 电可擦除只读存储器, PDSO8

M24C16-WMN6TG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010MMMR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
内存密度16384 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数2048 words
字数代码2000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 829  912  1059  1409  1637 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved