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GS8321ZV18E-133T

产品描述ZBT SRAM, 2MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
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文件大小1MB,共33页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS8321ZV18E-133T概述

ZBT SRAM, 2MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

GS8321ZV18E-133T规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明LBGA,
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间8.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度17 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)2 V
最小供电电压 (Vsup)1.6 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15 mm
Base Number Matches1

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GS8321ZV18/32/36E-250/225/200/166/150/133
165-Bump FP-BGA
Commercial Temp
Industrial Temp
Features
• User-configurable Pipeline and Flow Through mode
• NBT (No Bus Turn Around) functionality allows zero wait
read-write-read bus utilization
• Fully pin-compatible with both pipelined and flow through
NtRAM™, NoBL™ and ZBT™ SRAMs
• IEEE 1149.1 JTAG-compatible Boundary Scan
• 1.8 V +10%/–10% core power supply
• LBO pin for Linear or Interleave Burst mode
• Pin-compatible with 2Mb, 4Mb, 8Mb, and 18Mb devices
• Byte write operation (9-bit Bytes)
• 3 chip enable signals for easy depth expansion
• ZZ pin for automatic power-down
• JEDEC-standard 165-bump FP-BGA package
• Pb-Free 165-bump BGA package available
36Mb Pipelined and Flow Through
Synchronous NBT SRAM
250 MHz–133 MHz
1.8 V V
DD
1.8 V I/O
Because it is a synchronous device, address, data inputs, and
read/ write control inputs are captured on the rising edge of the
input clock. Burst order control (LBO) must be tied to a power
rail for proper operation. Asynchronous inputs include the
Sleep mode enable, ZZ and Output Enable. Output Enable can
be used to override the synchronous control of the output
drivers and turn the RAM's output drivers off at any time.
Write cycles are internally self-timed and initiated by the rising
edge of the clock input. This feature eliminates complex off-
chip write pulse generation required by asynchronous SRAMs
and simplifies input signal timing.
The GS8321ZV18/32/36E may be configured by the user to
operate in Pipeline or Flow Through mode. Operating as a
pipelined synchronous device, in addition to the rising-edge-
triggered registers that capture input signals, the device
incorporates a rising-edge-triggered output register. For read
cycles, pipelined SRAM output data is temporarily stored by
the edge triggered output register during the access cycle and
then released to the output drivers at the next rising edge of
clock.
The GS8321ZV18/32/36E is implemented with GSI's high
performance CMOS technology and is available in JEDEC-
standard 165-bump FP-BGA package.
Functional Description
The GS8321ZV18/32/36E is a 36Mbit Synchronous Static
SRAM. GSI's NBT SRAMs, like ZBT, NtRAM, NoBL or
other pipelined read/double late write or flow through read/
single late write SRAMs, allow utilization of all available bus
bandwidth by eliminating the need to insert deselect cycles
when the device is switched from read to write cycles.
Parameter Synopsis
t
KQ
tCycle
Curr
(x18)
Curr
(x32/x36)
t
KQ
tCycle
Curr
(x18)
Curr
(x32/x36)
-250 -225 -200 -166 -150 -133 Unit
2.5 2.7 3.0 3.5 3.8 4.0 ns
4.0 4.4 5.0 6.0 6.6 7.5 ns
285
350
6.5
6.5
205
235
265
320
7.0
7.0
195
225
245
295
7.5
7.5
185
210
220 210 185 mA
260 240 215 mA
8.0 8.5 8.5 ns
8.0 8.5 8.5 ns
175 165 155 mA
200 190 175 mA
Pipeline
3-1-1-1
Flow
Through
2-1-1-1
Rev: 1.04 4/2005
1/33
© 2003, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
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