Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 3.0SMCJ200A-AU_R1_000A1

文档预览

3.0SMCJ200A-AU_R1_000A1: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 200V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小176KB，共7页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

3.0SMCJ200A-AU_R1_000A1概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 200V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN

3.0SMCJ200A-AU_R1_000A1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	UL RECOGNIZED
最大击穿电压	256 V
最小击穿电压	220 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AB
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散	3000 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
参考标准	AEC-Q101; TS 16949
最大重复峰值反向电压	200 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

3.0SMCJ200A-AU_R1_000A1文档预览

下载PDF文档

全文
预览

3.0SMCJ-AU SERIES

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PEAK PULSE POWER 3000 Watt

STAND-OFF VOLTAGE

5 to 220 Volt

Recongnized File # E210467

FEATURES

• For surface mounted applications in order to optimize board space

• Glass passivated junction

• Low inductance

• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability

Classification 94V-O

• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals

• Acqire quality system certificate : TS16949

• AEC-Q101 qualified

• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive

• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)

MECHANICAL DATA

•

Case: JEDEC DO-214AB,Molded plastic over passivated junction.

Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Color band denotes cathode end

Standard Packaging: 16mm tape (EIA-481)

Weight: 0.008 ounce, 0.23 gram

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types 3.0SMCJ5.0 thru types 3.0SMCJ220.

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.

For Capacitive load derate current by 20%.

Rating

Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000μs waveform (Notes 1,2, Fig.1)

Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load (Notes 2,3)

Peak Pulse Current on 10/1000μs waveform (Notes 1) Fig.3

Typical Thermal Resistance Junction to Air

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

FSM

PPM

θJA

STG

Value

3000

200

see Table 1

-55 to +150

Units

Watts

Amps

C/W

NOTES :

1.Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T

=25°C

per Fig. 2.

2.Mounted on 8mm

( 0.013mm thick) land areas.

3.Measured on 8.3ms , single half sine-wave or equivalent square wave , duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.

4.A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V

RWM

), which should be equal to or greater than the DC

or continuous peak operating voltage level.

January 14,2015-REV.01

PAGE . 1

推荐资源

采用U850管构成的简单实用稳压电源电路图

数字温度巡检电路

周未散分帖: 散分帖好开，结帖的时候比较烦。...; zhangxp 嵌入式系统

CONST,STATIC,EXTERN用法总结!: CONST,STATIC,EXTERN用法总结! 最近看许多公司笔试都考这几方面的内容,于是乎就搜索了一下,把这几个知识点总结以下,以增强基础,以及应付未来的笔试 https://download.eeworld.com.cn/detail ......; tiankai001 下载中心专版

ras server 的问题: 我在WinCE上建立了一个Ras 服务器，通过电话线及Moden与PC 进行链接。在PC 拨号，能够到验证用户名密码，但是始终不能连接上，并出现628错误。现在更是一拨就断，在PC端的日志查看了一下，发现 ......; zqiaoshi 嵌入式系统

【用苹果手表作钥匙】,不要再埋没智能手表了: 可穿戴秀：用苹果手表作钥匙：https://training.eeworld.com.cn/course/1983 很多人对苹果手表已经“置之不理”了，千万别浪费了这块好料。苹果手表其实可以做一些很酷的事情，只是人们需要花 ......; chenyy 消费电子

写程序上手很容易，但是想写好程序很难啊: 前些日子在车间调试一个产品，显示程序和通讯板程序是两个小朋友编的。两个小朋友都很能干，任务派给他们以后很快就拿出程序来了，我们车间一共放了10套装置，拿到新程序以后我们部长就让我烧 ......; SUNKE9 编程基础

德州仪器：面向工业PAC的C6-Integra（DSPARM）解决方案（一）: http://player.youku.com/player.php/sid/XMzM0MzQ1Mjg0/v.swf...; 德仪DSP新天地 DSP 与 ARM 处理器

意法半导体发布 IFRS 2025半年财报

2025年8月21日，中国–服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)在公司官网上公布了截至2025年6月28日为期六个月的IFRS2025半年财报，并提交荷兰金融市场管理局(AFM)报备。本公司的半年财报是按照国际财务报告准则(IFRS-EU)编制，在本公司网站和荷兰金融管理局(AFM)网站上均有发布。...[详细]
Waveshare ESP32-P4-ETH 开发板支持以太网和 PoE

WaveshareESP32-P4-ETH是一款紧凑型ESP32-P4开发板，支持以太网和PoE，外观与OlimexESP32-P4-DevKit非常相似，只是少了pUEXT接口。不过，我们也介绍过其他支持以太网（及其他功能）的ESP32-P4开发板，例如ESP32-P4-Module-DEV-KIT、ESP32-P4-NANO开发板和GUITIONJC-ESP3...[详细]
Coherent越南投资 1.27 亿美元新建工厂

美国萨克森堡的材料、网络和激光技术公司CoherentCorp在越南同奈省仁泽工业园区新建的一座价值1.27亿美元的制造工厂正式落成。该工厂将生产精密工程材料和光子学组件，这些产品应用广泛，涵盖智能手机、电动汽车乃至先进医疗设备等多个领域。越南副总理阮志勇在开业典礼上表示：“越南正积极发展包括半导体在内的关键战略产业。今天的活动是落实《越美关系升级为全面战略伙伴关系联合声明》的具...[详细]
意法半导体荣获 IEEE 第三个里程碑奖，表彰卫星数字广播集成电路创新

编译自ST博客2025年6月，意法半导体（STMicroelectronics）收获了其第三座IEEE里程碑奖(IEEEMilestonePlaques)，此前该公司曾因BCD硅工艺（2021年）和MPEG视频解码器（2023年）两度获此殊荣。此次获奖源于其为卫星数字广播打造的集成电路系统——这一创新不仅推动了商业卫星广播的发展，更让偏远地区通过卫星获取教育、...[详细]
Silicon Labs 第二季度业绩强劲增长多业务齐头并进

近日，SiliconLabs公布2025年第二季度（6月季度）业绩，营收达1.93亿美元，环比增长9%，符合先前指引中点；同比增长33%，展现出强劲的发展势头。公司两大核心业务板块均实现显著增长，同时在产品创新与市场拓展上持续突破，为未来发展奠定坚实基础。核心业务双增长驱动因素明确工业与商业业务表现亮眼，6月季度营收1.1亿美元，环比增长14%，同比增长...[详细]
英特尔和京东方推出全新AI显示技术，打造自适应调节体验

视觉体验升级，英特尔携手京东方推出首款AI驱动多频显示解决方案通过基于AI的多频显示、1Hz超低刷新率和SmartPowerHDR技术，显著延长笔记本电脑续航并提升用户体验。今日，英特尔与京东方宣布将共同开发基于AI技术的笔记本电脑显示屏节能解决方案。该方案可以智能平衡能效与画质，在延长电池续航的同时保障出色的视觉体验。此项技术预计将于2026年率先应用于采用英特尔平台的...[详细]
Arm 出席 OPPO 开发者大会，解读端侧 AI 技术与应用新趋势

10月15日，OPPOColorOS16发布会暨OPPO开发者大会在深圳隆重召开，大会现场除发布OPPO最新技术外，还举办了多场论坛，与业界领袖共同探讨科技创新与人工智能(AI)新生态构建。在大会上，Arm受邀发表了主题演讲，分享端侧AI的演进趋势及Arm最新的LumexAI计算平台如何助力技术突破、应用创新及生态合作。端侧AI实...[详细]
高带宽内存（HBM）完全指南

在当下这个数据密集型应用爆发的时代，从人工智能、机器学习，到高性能计算（HPC）与游戏领域，传统内存架构的性能极限正不断被突破，而高带宽内存（HBM）凭借高性能、低功耗的特性，成为了新一代存储解决方案。随着各行业对高速、高吞吐量数据处理的需求持续攀升，深入理解HBM的架构设计、核心优势，以及它在下一代系统中的演进定位，已成为行业发展的关键前提。本文将深入解析HBM的工作原理，对比其...[详细]
台积电中科 1.4 nm 晶圆厂瞄准 2028 年量产，剑指全球 AI 芯片制造中心

12月31日消息，台积电2nm制程已按计划于本季度投产。中国台湾《经济日报》今日指出，由于（2nm）良率表现优于预期，位于台中科学园区（中科）的1.4nm新厂建设进程将进一步加快。据介绍，中科新厂已于今年11月初启动基桩工程，预计在2027年底前完成风险性试产，并于2028年正式投入量产。目前，其设备大楼的招标作业已经完成，预计主体厂房工程的招标工作也将在近期陆续展开...[详细]
中国内存第一大厂：长鑫科技宣布要IPO上市

12月31日消息，我国内存第一大厂长鑫科技宣布要IPO上市了，拟发行不超过106.22259999亿股股票，融资金额为295亿元。官方给出的IPO招标书中显示，长鑫科技宣称是我国“规模最大、技术最先进、布局最全”的DRAM研发设计制造一体化企业。目前，公司完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品覆盖和迭代...[详细]
Coherent将碳化硅平台从 200mm 扩展至 300mm 规格

Coherent宣布，依托其在200mm碳化硅（SiC）平台领域的技术积累，成功研发出下一代300mm碳化硅解决方案。该方案专为应对不断攀升的热负荷设计，可满足现代数据中心对性能提升与规模扩展的迫切需求。Coherent表示，随着数据中心系统对功率密度、开关速度及热管理能力的要求持续提高，采用大直径SiC晶圆将显著提升能效与热性能表现。尽管该平台的核心应用聚焦于数据中心热管理场...[详细]
英飞凌推出全新软件开发集成工具AURIX™ Configuration Studio，加速AURIX™系列器件软件开发

英飞凌推出全新软件开发集成工具AURIX™ConfigurationStudio，加速AURIX™系列器件软件开发【2025年11月10日,德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出全新集成开发环境（IDE）——AURIX™ConfigurationStudio（ACS），旨在简化采用AURIX™TC3x系列器件的应用开发流程，加快产品上市并降...[详细]
Arm ToTal Design正在大获成功

编译自tomshardware当Arm在2023年10月推出其TotalDesign计划时，其成功并未得到保证。然而，根据Arm的一篇博文，TotalDesign确实取得了成功。Arm的TotalDesign生态系统快速扩展，在一年内规模翻了一倍。该生态系统目前涉及30多家公司，包括三星代工厂（SamsungFoundry）、ADTechnology和Rebellions，他们合作...[详细]
塔塔电子、力积电达成技术转让协议，将合作建设印度首座晶圆厂

9月27日消息，塔塔电子印度新德里当地时间昨日宣布，已同台湾地区晶圆代工企业力积电（力晶积成电子制造股份有限公司，PSMC）就技术转让达成最终协议。塔塔电子计划投资9100亿印度卢比（当前约763.04亿元人民币），在印度古吉拉特邦Dholera兴建印度首家商业晶圆厂。而力积电将为这座晶圆厂提供设计和施工上的支持，以及广泛的技术组合许可。塔塔电子的Dholera晶圆厂建...[详细]
三星韩美半导体工厂被曝按下暂停键

9月26日消息，韩媒DigitalDaily昨日（9月25日）发布博文，报道称三星已经停止了韩国平泽的P4、美国泰勒市（Taylor）Plant2半导体工厂建设计划。报道称三星已经暂停上述两个工厂的建设和设备订购活动，并希望对半导体投资采取更加保守的态度。三星还通知多家供应商，推迟平泽和美国泰勒二厂的半导体设备、设施和基础设施的主要订单。三星原本计划在美国投资440...[详细]

小广播

热搜元器件