5962-9233901M2A放大器基础信息：
5962-9233901M2A是一款BUFFER。常用的包装方式为QCCN, LCC20,.35SQ
5962-9233901M2A放大器核心信息：
5962-9233901M2A的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：5 µA他的最大平均偏置电流为5 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，5962-9233901M2A的标称压摆率有450 V/us。厂商给出的5962-9233901M2A的最大压摆率为17 mA，而最小压摆率为180 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，5962-9233901M2A增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为200 MHz。
5962-9233901M2A的标称供电电压为5 V，其对应的标称负供电电压为-5 V。5962-9233901M2A的输入失调电压为8200 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
5962-9233901M2A的相关尺寸：
5962-9233901M2A的宽度为：8.89 mm，长度为8.89 mm5962-9233901M2A拥有20个端子.其端子位置类型为：QUAD。端子节距为1.27 mm。共有针脚：20
5962-9233901M2A放大器其他信息：
其温度等级为：MILITARY。5962-9233901M2A不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为：S-CQCC-N20。其对应的的JESD-609代码为：e0。
5962-9233901M2A的封装代码是：QCCN。5962-9233901M2A封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为SQUARE。5962-9233901M2A封装引脚的形式有：CHIP CARRIER。其端子形式有：NO LEAD。
座面最大高度为1.905 mm。
5962-9233901M2A放大器基础信息：
5962-9233901M2A是一款BUFFER。常用的包装方式为QCCN, LCC20,.35SQ
5962-9233901M2A放大器核心信息：
5962-9233901M2A的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：5 µA他的最大平均偏置电流为5 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，5962-9233901M2A的标称压摆率有450 V/us。厂商给出的5962-9233901M2A的最大压摆率为17 mA，而最小压摆率为180 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，5962-9233901M2A增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为200 MHz。
5962-9233901M2A的标称供电电压为5 V，其对应的标称负供电电压为-5 V。5962-9233901M2A的输入失调电压为8200 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
5962-9233901M2A的相关尺寸：
5962-9233901M2A的宽度为：8.89 mm，长度为8.89 mm5962-9233901M2A拥有20个端子.其端子位置类型为：QUAD。端子节距为1.27 mm。共有针脚：20
5962-9233901M2A放大器其他信息：
其温度等级为：MILITARY。5962-9233901M2A不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为：S-CQCC-N20。其对应的的JESD-609代码为：e0。
5962-9233901M2A的封装代码是：QCCN。5962-9233901M2A封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为SQUARE。5962-9233901M2A封装引脚的形式有：CHIP CARRIER。其端子形式有：NO LEAD。
座面最大高度为1.905 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | QFN |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | BUFFER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 5 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 200 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 5 µA |
| 最大输入失调电压 | 8200 µV |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 8.89 mm |
| 负供电电压上限 | -7 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
| 功能数量 | 4 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最小输出电流 | 0.02 A |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 1.905 mm |
| 最小摆率 | 180 V/us |
| 标称压摆率 | 450 V/us |
| 最大压摆率 | 17 mA |
| 供电电压上限 | 7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8.89 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-9233901M2A | 5962-9233901MCA | CLC114AJ-MLS | CLC114MDC | CLC114AJE-TR13 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC QUAD BUFFER AMPLIFIER, CQCC20, LCC-20, Buffer Amplifier | IC QUAD BUFFER AMPLIFIER, CDIP14, CERDIP-14, Buffer Amplifier | IC QUAD BUFFER AMPLIFIER, CDIP14, CERDIP-14, Buffer Amplifier | IC BUFFER AMPLIFIER, UUC11, DIE, Buffer Amplifier | IC QUAD BUFFER AMPLIFIER, PDSO14, PLASTIC, SOIC-14, Buffer Amplifier |
| 零件包装代码 | QFN | DIP | DIP | WAFER | SOIC |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ | DIP, DIP14,.3 | CERDIP-14 | DIE | SOP, SOP14,.25 |
| 针数 | 20 | 14 | 14 | 11 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | BUFFER | BUFFER | BUFFER | BUFFER | BUFFER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 5 µA | 5 µA | 10 µA | 5 µA | 5 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 200 MHz | 200 MHz | 200 MHz | 200 MHz | 95 MHz |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 | R-GDIP-T14 | R-GDIP-T14 | R-XUUC-N11 | R-PDSO-G14 |
| 负供电电压上限 | -7 V | -7 V | -7 V | -7 V | -7 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V | -5 V | -5 V | -5 V | -5 V |
| 功能数量 | 4 | 4 | 4 | 1 | 4 |
| 端子数量 | 20 | 14 | 14 | 11 | 14 |
| 最小输出电流 | 0.02 A | 0.02 A | 0.025 A | 0.02 A | 0.02 A |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | UNSPECIFIED | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCN | DIP | DIP | DIE | SOP |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE | UNCASED CHIP | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称压摆率 | 450 V/us | 450 V/us | 450 V/us | 450 V/us | 450 V/us |
| 供电电压上限 | 7 V | 7 V | 7 V | 7 V | 7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | NO | YES | YES |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD | GULL WING |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL | UPPER | DUAL |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） | - | - | National Semiconductor（TI ） |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 5 µA | 5 µA | 5 µA | - | 5 µA |
| 最大输入失调电压 | 8200 µV | 8200 µV | 8200 µV | - | 5000 µV |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | - | e0 |
| 长度 | 8.89 mm | 19.43 mm | 19.43 mm | - | - |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 85 °C | - | 85 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -40 °C | - | -40 °C |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ | DIP14,.3 | DIP14,.3 | - | SOP14,.25 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-5 V | +-5 V | +-5 V | - | +-5 V |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 | - | - |
| 座面最大高度 | 1.905 mm | 5.08 mm | 5.08 mm | - | - |
| 最小摆率 | 180 V/us | 180 V/us | 180 V/us | - | 200 V/us |
| 最大压摆率 | 17 mA | 17 mA | 17 mA | - | 16.5 mA |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | - | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | - | 1.27 mm |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8.89 mm | 7.62 mm | 7.62 mm | - | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | - |
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