Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT71V546S100PFGI8

文档预览

IDT71V546S100PFGI8: 产品描述ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小183KB，共21页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

IDT71V546S100PFGI8概述

ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100

IDT71V546S100PFGI8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e3
长度	20 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	100
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.045 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

128K x 36, 3.3V Synchronous

IDT71V546S/XS

SRAM with ZBT™ Feature,

™

Burst Counter and Pipelined Outputs

Features

128K x 36 memory configuration, pipelined outputs

Supports high performance system speed - 133 MHz

(4.2 ns Clock-to-Data Access)

ZBT

Feature - No dead cycles between write and read

cycles

Internally synchronized registered outputs eliminate the

need to control

Single R/W (READ/WRITE) control pin

Positive clock-edge triggered address, data, and control

signal registers for fully pipelined applications

4-word burst capability (interleaved or linear)

Individual byte write (BW

) control (May tie active)

Three chip enables for simple depth expansion

Single 3.3V power supply (±5%)

Packaged in a JEDEC standard 100-pin TQFP package

clock cycle, and two cycles later its associated data cycle occurs, be it

read or write.

The IDT71V546 contains data I/O, address and control signal regis-

ters. Output enable is the only asynchronous signal and can be used to

disable the outputs at any given time.

A Clock Enable (CEN) pin allows operation of the IDT71V546 to be

suspended as long as necessary. All synchronous inputs are ignored

when

CEN

is high and the internal device registers will hold their previous

values.

There are three chip enable pins (CE

, CE

) that allow the user

to deselect the device when desired. If any one of these three is not active

when ADV/LD is low, no new memory operation can be initiated and any

burst that was in progress is stopped. However, any pending data

transfers (reads or writes) will be completed. The data bus will tri-state two

cycles after the chip is deselected or a write initiated.

The IDT71V546 has an on-chip burst counter. In the burst mode, the

IDT71V546 can provide four cycles of data for a single address presented

to the SRAM. The order of the burst sequence is defined by the

LBO

input

pin. The

LBO

pin selects between linear and interleaved burst sequence.

The ADV/LD signal is used to load a new external address (ADV/LD =

LOW) or increment the internal burst counter (ADV/LD = HIGH).

The IDT71V546 SRAM utilizes IDT's high-performance, high-volume

3.3V CMOS process, and is packaged in a JEDEC standard 14mm x

20mm 100- pin thin plastic quad flatpack (TQFP) for high board density.

◆

Description

The IDT71V546 is a 3.3V high-speed 4,718,592-bit (4.5 Megabit)

synchronous SRAM organized as 128K x 36 bits. It is designed to

eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads

and writes, or writes and reads. Thus it has been given the name ZBT

or Zero Bus Turn-around.

Address and control signals are applied to the SRAM during one

Pin Description Summary

- A

, CE

R/W

CEN

CLK

ADV/LD

LBO

I/O

- I/O

, I/O

- I/O

Address Inputs

Three Chip Enables

Output Enable

Read/Write Signal

Clock Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

Advance Burst Address / Load New Address

Linear / Interleaved Burst Order

Data Input/Output

3.3V Power

Ground

Input

I/O

Supply

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Synchronous

Static

Synchronous

Static

3821 tbl 01

ZBT and Zero Bus Turnaround are trademarks of Integrated Device Technology, Inc. and the architecture is supported by Micron Technology and Motorola Inc.

OCTOBER 2008

DSC-3821/05

IDT71V546S100PFGI8相似产品对比

	IDT71V546S100PFGI8	IDT71V546S100PFG8	IDT71V546S133PFGI8	IDT71V546S100PFGI	IDT71V546S133PFG	IDT71V546S100PFG	IDT71V546S133PFGI	IDT71V546S133PFG8
描述	ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100	ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100	ZBT SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100	ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100	ZBT SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100	ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100	ZBT SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100	ZBT SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87
针数	100	100	100	100	100	100	100	100
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	5 ns	5 ns	4.2 ns	5 ns	4.2 ns	5 ns	4.2 ns	4.2 ns
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	100 MHz	133 MHz	100 MHz	133 MHz	100 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	36	36	36	36	36	36	36	36
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	100	100	100	100	100
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C
组织	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.045 A	0.04 A	0.045 A	0.045 A	0.04 A	0.04 A	0.045 A	0.04 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.26 mA	0.25 mA	0.31 mA	0.26 mA	0.3 mA	0.25 mA	0.31 mA	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	-	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	-

推荐资源

一个关于在友善nano2410下载nk映像的问题: 我是个新手，最近领导让搞wince，买了一块友善之臂nano2410的板子，32m dram；64m flash。打算做一些wince 方面的开发。但是nano2410只有nk和eboot文件，不提供bsp和sdk。所以我打算找一个其他 ......; pmp_2008 嵌入式系统

拆一个智能手环: 一个30多元钱买的智能手环，有计时、计步、测睡眠、测血压及心率、手机信息或来电提醒等功能，用了一年多时间，最近彻底罢工了——无法充电。下图为手机的外貌： 489424 早 ......; hujj 以拆会友

布线的问题: 我画PCB，一开始用的AD9，发现布线的时候，正常情况下线随着鼠标走，可是我布线的时候线不跟着走，什么都没有。只有线布完了，按下鼠标右键，线才显示出来。后来，我装了AD10，情况也跟这一样 ......; chenbingjy PCB设计

Power层电压分配的问题？: 在Power层，只有一个电源网络吗?假设电路中有5V、+15V、-8V的电源，那么在电源层如何分配这些电源？电源层一般不都是直接大面积铺铜吗？我是新手，请各位前辈多多指教！谢谢！...; 静若幽兰 PCB设计

Microchip电机控制讲座: Microchip电机控制讲座...; lorant 工业自动化与控制

STM32101VCT6SRAM（62256）cpld7128lcd12232测试版电路: attach]20052原理图这个是62256的电路，贴出来下载 (950.99 KB) 2010-3-26 10:05 电路描述：FSMC_NADV经非门后接573的锁存脚，FSMC_NE1接62256的片选/CS,FSMC ......; wzl999 stm32/stm8

高清晰度数字电视传输系统设计与实现方案

　　在有限带宽内传输高清晰度数字电视对视频、音频压缩编码和信道编码都提出了更高的要求，而且在进行地面传输的情况下无线环境的各种衰减和干扰也不可避免，同时考虑到移动环境下的接收需求，在新一代的地面数字电视传输系统中必需引入无线通信的最新技术。数字电视广播和现代数字通讯技术的结合，使得传统的电视传媒得以在通信网络的基础上新生。　　清华大学在综合吸收国外已有高清晰度数字电视标准优点的基础上，完全...[详细]
英飞凌首超意法瑞萨工业份额排名第一

　　据市场调研公司Semicast最近发表的研究报告，英飞凌（Infineon）首次在工业市场排名第一，超过了意法半导体（ST）和瑞萨（Renesas）科技。　　据这项反映2007年市场状况的研究报告，英飞凌的市场份额从上一年的6.4%上升到7.5%。意法半导体的份额则从7.8%降至7.0%。瑞萨科技的市场份额从5.4%提高到6.5%。德州仪器（TI）的市场从5.7%上升到6.3%，但它的排...[详细]
RFID产业增长：真正的商机在哪里

　　【提要】 2007 RFID智能卷标大会二月在美国波士顿举行，约有500名代表参加此次大会。从大会上我们了解到，今后RFID产业发展的重心已不是人们絮叨的零售业巨头和美国国防部对超高频卷标的指令性要求而带动的这些以托盘和包装卷标技术为主的市场，真正的商机已在别处。　　“RFID产业将在各个领域大放异彩，而不再是零售业者和军队对RFID卷标要求带动的领域，”主办公司IDTechEx...[详细]
支持网上医疗设备的显示模块

　　具有网上标准分辨率的TFT-LCD能支持未来可升级的网上医疗设备平台　　医疗电子产品对个人电脑技术及企业网络和数据库的使用率正在不断提高。这些成果有助于护理人员的患者数据管理，并使得信息能够从采集地点迅速而高效地传递至诊断专家和检查医师那里。　　许多医疗设备现已拥有了联网能力，从而为诸如患者集中监护或将医学图像从X光片技师传送至放射线学者等应用的实现奠定了基础。从事此类显示器...[详细]
高频RFID与超高频RFID的技术应用比较

随着以Gen2为代表的超高频技术正式成为ISO 18000-6C标准，RFID技术在托盘和货箱上的应用日趋成熟，RFID标签用于单品识别提上日程，在下一个里程碑上是超高频还是高频，引起了全球RFID业界的广泛关注。高频与超高频高频RFID标签典型工作频率为13.56MHz，一般以无源为主，标签与阅读器进行数据交换时，标签必须位于阅读器天线辐射的近场区内。高频标签的阅读距离一般情况下小于1...[详细]
如何应用计算机信息技术防范输液及用药差错

　　1 概述　　药品犹如“双刃剑”，可以治疗疾病，也可引起严重不良后果，药物的这种双重性取决于用药是否合理。不合理用药的危害十分严重，合理用药的必要性不容质疑，问题在于应采用什么手段才能防范不合理用药。　　防范不合理用药的手段主要有：实行临床药师审查制度；医师、护士、药剂人员资格审批制度；采用“合理用药”审查软件，进行合理用药审查。　　美国在实行临床药师审查制度基础上，于1992年制...[详细]
SynQor超小病人全接触型医疗电源模块

　　SynQor推出超小的病人全接触型400W医疗电源模块，该电源模块的封装为3×5×1.44，功率密度高达18.3W/立方英寸，转换效率达91%。　　SynQor通过推出首款专门针对医疗应用而研制的AC/DC电源模块，使得公司的多元化战略持续成功地延伸至新的医疗领域。ACuQor模块系列实现了在3×5×1.44有限尺寸上提供400W的有用功率。SynQor可以提供48V，36V or 24V的...[详细]
纳米生物传感器的研制初露曙光

　　由于微小生物电子传感器的问世，现在医生很快就会通过复制或改善人类嗅觉系统的方式，用气味来诊断各种疾病的早期症状。这项新的跨学科技术是由欧盟委员会未来科技部“信息社会科技项目”出资，经西班牙、法国和意大利科学家共同开发测试，最终在天然嗅觉器官的基础上产生出“电子鼻子”。这种“电子鼻子”不仅可以应用于医疗保健行业，还能应用于农业、工业、环保和安全等领域。 “电子鼻子”工程协调员...[详细]
BP01型压力传感器在便携血压计中应用

　　1概述 BP01型压力传感器是为监测血压而专门设计的，主要用于便携式电子血压计。它采用精密厚膜陶瓷芯片和尼龙塑料封装，具有高线性、低噪声和外界应力小的特点；采用内部标定和温度补偿方式，从而提高了测量的精度、稳定性以及可重复性，在全量程范围内，精度为±1％，零点失调不大于±300μV。 2 BP01的主要性能参数 BP01的内部等效电路和外形封装如图1所示；表1所列为BP...[详细]
手机芯片厂商寄望发货量在四季度反弹

就当前手机市场而言，全球范围内的几家手机制造商，包括诺基亚、三星电子、LG电子在内，今年二季季末手机发货量增长都明显放缓。二季度手机发货量放缓，可能成为积蓄力量的理由，但有部分手机芯片厂商认为，这对于眼下的第三季度并非是件好事，他们称，来自客户的反馈信息显示，今年第三季度全球手机市场发货量将低于5%，而在往年，这一比例通常高达20%。手机芯片供应商表示，目前他们对手机厂商的三季度库存尚不...[详细]
Jack Guedj就任Tensilica总裁及CEO

　　Tensilica公司今日全球发布，任命Jack Guedj博士为公司全球总裁及CEO，Tensilica卓越领导团队的扩充将为公司在新一轮增长期中更快发展奠定基础。Jack Guedj拥有丰富管理经验，曾率领多家初创公司快速发展，并担任通信和多媒体领域的知名半导体公司高级管理领导层。Guedj将继任公司创立者Chris Rowen博士的职位，继续推动Tensilica与战略客户在先进处理器...[详细]
天威视讯机顶盒的快乐与沉思

前言加速发展的中国有线电视数字化进程受到了强有力政策的支持，推动了中国数字有线机顶盒市场增长。据最新研究报告显示，2007年底，中国有线数字电视电视用户数量达到2,796万户，有线电视数字化程度达到24%；2008年1季度，中国有线数字电视用户数量已经达到3195.18万户，有线电视数字化程度达到31.96%。2008年2季度，根据各地区有线电视网络公司规划，中国有线数字电视新增用户770....[详细]
3-D存储器芯片堆栈标准化有望替代DDR内存

　　由3D-IC联盟发起的存储器互连标准（IMIS，IntimateMemoryInterconnectStandard）最近宣布其用于3-D堆栈存储器芯片的官方标准。　　该联盟的发起成员TezzaronSemiconductorCorp.(Naperville,Ill.)和Ziptronix,Inc.(Morrisville,N.C.)已着手开发采用IMIS端口的存储器芯片，预期将在200...[详细]
1-Wire总线与DS18B20应用仿真(图)

　　作为一种单主机多从机的总线系统，在一条1-Wire总线上可挂接的从器件数量几乎不受限制。为了不引起逻辑上的冲突，所有从器件的1-Wire总线接口都是漏极开路的，因此在使用时必须对总线外加上拉电阻（一般取5kΩ左右）。主机对1-Wire总线的基本操作分为复位、读和写三种，其中所有的读写操作均为低位在前高位在后。复位、读和写是1-Wire总线通信的基础，下面通过具体程序详细介绍这3种操作的时序要...[详细]
基于Bang-Bang控制的温湿度调节系统(图)

　　在一些仓储管理、生产制造、气象观测、科学研究以及日常生活中，对温湿度的要求普遍存在，如《档案库房技术管理暂行规定》中就明确指出：档案库房（含胶片库、磁带库）的温度应控制在14～24℃，有设备的库房日变化幅度不超过±2℃；相对湿度应控制在45%～60%，有设备的库房日变化幅度不超过±5%。本文利用新型的C8051F020单片机和I2C总线数字式温湿度传感器SHT11设计了一套满足此要求的自动化...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多