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AM2147-55DCB

产品描述Standard SRAM, 4KX1, 55ns, NMOS, CDIP18, CERAMIC, DIP-18
产品类别存储    存储   
文件大小240KB,共9页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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AM2147-55DCB概述

Standard SRAM, 4KX1, 55ns, NMOS, CDIP18, CERAMIC, DIP-18

AM2147-55DCB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP18,.3
针数18
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间55 ns
其他特性AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-GDIP-T18
JESD-609代码e0
长度22.86 mm
内存密度4096 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量18
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX1
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
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