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5082-2830

产品描述Mixer Diode, Medium Barrier, L Band, Silicon, 809, 4 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小12KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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5082-2830概述

Mixer Diode, Medium Barrier, L Band, Silicon, 809, 4 PIN

5082-2830规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明O-XRDB-F4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置RING, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)0.4 V
频带L BAND
JESD-30 代码O-XRDB-F4
JESD-609代码e0
元件数量4
端子数量4
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.075 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
肖特基势垒类型MEDIUM BARRIER
Base Number Matches1

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5082-2830
SCHOTTKY BARRIER DUAL DIODE
DESCRIPTION:
The
ASI 5082-2830
is a medium
Barrier Schottky Dual Diode Designed
for Single Balanced Mixer, Phase
Detector and Modulator Applications
up to 2.0 GHz.
PACKAGE STYLE 809
FEATURES INCLUDE:
Medium Barrier
Excellent Matching
Rugged design
MAXIMUM RATINGS
I
F
P
DISS
T
J
T
STG
T
SOLDER
100 mA
75 mW @ T
C
= 25 °C
per Junction
-65 °C to +175 °C
-65 °C to +175 °C
+220 °C for 10 seconds
TOP VIEW
NONE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
V
F
V
F
C
T
C
T
R
D
I
F
= 1 mA
T
C
= 25 °C
TEST CONDITIONS
I
R
= 5.0 mA
V
R
= 0 V
V
R
= 0
I
F
= 5.0 mA
Diagonal
Adjecent
f = 1.0 MHz
f = 1.0 MHz
MINIMUM
2
TYPICAL
MAXIMUM
400
20
UNITS
mV
mV
pF
0.50
0.67
0.20
12
pF
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1202
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without
REV. A
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