Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> GS8550BU/E6

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GS8550BU/E6: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小28KB，共3页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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GS8550BU/E6概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN

GS8550BU/E6规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Vishay(威世)
零件包装代码	TO-92
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.8 A
集电极-发射极最大电压	25 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	85
JEDEC-95代码	TO-226AA
JESD-30 代码	O-PBCY-W3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.625 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
Base Number Matches	1

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GS8550xU

New Product

Vishay Semiconductors

formerly General Semiconductor

Small Signal Transistor (PNP)

TO-226AA (TO-92)

0.181 (4.6)

min. 0.492 (12.5) 0.181 (4.6)

0.142 (3.6)

Features

•

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for amplifier

applications. Especially suitable for low power output

stages such as portable radios in class-B push-pull

operation.

• Complementary to GS8050xU

• The “x” in the part number can be B, C or D, depending

on the current gain.

Mechanical Data

Case:

TO-92 Plastic Package

Weight:

approx. 0.18g

Packaging Codes/Options:

E6/Bulk – 5K per container, 20K per box

E7/4K per Ammo mag., 20K per box

max.

∅

0.022 (0.55)

0.098 (2.5)

Bottom

View

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings & Thermal Characteristics

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Power Dissipation at T

amb

= 25°C

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified

Symbol

CBO

CEO

EBO

tot

θJA

Value

–40

–25

–6

–800

625

(1)

200

(1)

150

–55 to +150

Unit

°C/W

°C

Note:

(1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 2mm from case

Document Number 88194

10-May-02

www.vishay.com

GS8550BU/E6相似产品对比

	GS8550BU/E6	RCWP1206100KFKS269	RCWP1206100KFKS3	GS8550CU/E6	GS8550BU/E7	GS8550CU/E7
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN	RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.25 W, 1 %, 100 ppm, 100000 ohm, SURFACE MOUNT, 1206, CHIP	RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.25 W, 1 %, 100 ppm, 100000 ohm, SURFACE MOUNT, 1206, CHIP	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN
是否无铅	不含铅	含铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	SMT, 1206	SMT, 1206	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
端子数量	3	2	2	3	3	3
最高工作温度	150 °C	155 °C	155 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装形式	CYLINDRICAL	SMT	SMT	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
表面贴装	NO	YES	YES	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier	Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
零件包装代码	TO-92	-	-	TO-92	TO-92	TO-92
针数	3	-	-	3	3	3
最大集电极电流 (IC)	0.8 A	-	-	0.8 A	0.8 A	0.8 A
集电极-发射极最大电压	25 V	-	-	25 V	25 V	25 V
配置	SINGLE	-	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	85	-	-	120	85	120
JEDEC-95代码	TO-226AA	-	-	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA
JESD-30 代码	O-PBCY-W3	-	-	O-PBCY-W3	O-PBCY-W3	O-PBCY-W3
元件数量	1	-	-	1	1	1
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	-	-	ROUND	ROUND	ROUND
极性/信道类型	PNP	-	-	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.625 W	-	-	0.625 W	0.625 W	0.625 W
认证状态	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
端子形式	WIRE	-	-	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	-	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	AMPLIFIER	-	-	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	-	-	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	-	-	100 MHz	100 MHz	100 MHz

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