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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> UFMMT493
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UFMMT493

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小124KB，共2页
制造商Diodes Incorporated
标准
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UFMMT493概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

UFMMT493规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
Base Number Matches1

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SOT23 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995
COMPLEMENTARY TYPE –
PARTMARKING DETAIL –
7
FMMT593
493
FMMT493
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Pulse Current
Base Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
Breakdown Voltages
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
CEO(sus)
V
(BR)EBO
Collector Cut-Off Current
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Saturation Voltages
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
Base-Emitter
Turn On Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
Transition Frequency
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
BE(on)
h
FE
100
100
60
20
150
10
MIN.
120
100
5
100
100
100
0.3
0.6
1.15
1.0
300
MHz
pF
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
MAX.
VALUE
120
100
5
1
2
200
500
-55 to +150
UNIT
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
SOT23
UNIT
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
CONDITIONS.
I
C
=100
µ
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
µ
A
V
CB
=100V
V
CES
=100V
V
EB
=4V
I
C
=500mA, I
B
=50mA
I
C
=1A, I
B
=100mA
I
C
=1A, I
B
=100mA
I
C
=1A, V
CE
=10V
I
C
=1mA, V
CE
=10V*
I
C
=250mA, V
CE
=10V*
I
C
=500mA, V
CE
=10V*
I
C
=1A, V
CE
=10V*
I
C
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
=10V, f=1MHz
f
T
C
obo
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
3 - 119

UFMMT493相似产品对比

UFMMT493
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Diodes Incorporated
零件包装代码 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A
集电极-发射极最大电压 100 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
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封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 150 MHz
Base Number Matches 1

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