LF411MWG-MPR放大器基础信息：
LF411MWG-MPR是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, SOIC-10
LF411MWG-MPR放大器核心信息：
LF411MWG-MPR的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。他的最大平均偏置电流为0.0002 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LF411MWG-MPR的标称压摆率有15 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LF411MWG-MPR增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为4000 kHz。
LF411MWG-MPR的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。LF411MWG-MPR的输入失调电压为2000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）LF411MWG-MPR的宽度为：6.12 mm。
LF411MWG-MPR的相关尺寸：
LF411MWG-MPR拥有10个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚：10
LF411MWG-MPR放大器其他信息：
其温度等级为：MILITARY。而其湿度敏感等级为：1。LF411MWG-MPR不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-GDSO-G10。其对应的的JESD-609代码为：e0。
LF411MWG-MPR的封装代码是：SOP。LF411MWG-MPR封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。LF411MWG-MPR封装引脚的形式有：SMALL OUTLINE。其端子形式有：GULL WING。
座面最大高度为2.33 mm。
LF411MWG-MPR放大器基础信息：
LF411MWG-MPR是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERAMIC, SOIC-10
LF411MWG-MPR放大器核心信息：
LF411MWG-MPR的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。他的最大平均偏置电流为0.0002 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LF411MWG-MPR的标称压摆率有15 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LF411MWG-MPR增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为4000 kHz。
LF411MWG-MPR的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。LF411MWG-MPR的输入失调电压为2000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）LF411MWG-MPR的宽度为：6.12 mm。
LF411MWG-MPR的相关尺寸：
LF411MWG-MPR拥有10个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚：10
LF411MWG-MPR放大器其他信息：
其温度等级为：MILITARY。而其湿度敏感等级为：1。LF411MWG-MPR不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-GDSO-G10。其对应的的JESD-609代码为：e0。
LF411MWG-MPR的封装代码是：SOP。LF411MWG-MPR封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。LF411MWG-MPR封装引脚的形式有：SMALL OUTLINE。其端子形式有：GULL WING。
座面最大高度为2.33 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | CERAMIC, SOIC-10 |
| 针数 | 10 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0002 µA |
| 标称共模抑制比 | 100 dB |
| 最大输入失调电压 | 2000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDSO-G10 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 10 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.33 mm |
| 标称压摆率 | 15 V/us |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 标称均一增益带宽 | 4000 kHz |
| 宽度 | 6.12 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| LF411MWG-MPR | LF411MWG-QML | |
|---|---|---|
| 描述 | IC OP-AMP, 2000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, CDSO10, CERAMIC, SOIC-10, Operational Amplifier | IC OP-AMP, 2000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, CDSO10, CERAMIC, SOIC-10, Operational Amplifier |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | CERAMIC, SOIC-10 | SOP, |
| 针数 | 10 | 10 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0002 µA | 0.0002 µA |
| 标称共模抑制比 | 100 dB | 100 dB |
| 最大输入失调电压 | 2000 µV | 2000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDSO-G10 | R-GDSO-G10 |
| 负供电电压上限 | -18 V | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 10 | 10 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | SOP | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.33 mm | 2.33 mm |
| 标称压摆率 | 15 V/us | 15 V/us |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 标称均一增益带宽 | 4000 kHz | 4000 kHz |
| 宽度 | 6.12 mm | 6.12 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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