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HS-4424BRH: 产品描述2 A 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16; 产品类别半导体模拟混合信号IC; 文件大小54KB，共2页; 制造商Intersil ( Renesas ); 官网地址http://www.intersil.com/cda/home/

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HS-4424BRH概述

2 A 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16

2 A 2 通道, 缓冲或反向场效应管管驱动器, CDFP16

HS-4424BRH规格参数

参数名称	属性值
功能数量	2
端子数量	16
最小工作温度	-55 Cel
最大工作温度	125 Cel
加工封装描述	CERAMIC, DFP-16
each_compli	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	Active
接口类型	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
高端驱动器	NO
jesd_30_code	R-CDFP-F16
jesd_609_code	e3
moisture_sensitivity_level	NOT APPLICABLE
额定输出峰值电流限制	2 A
包装材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
ckage_code	DFP
ckage_equivalence_code	FL16,.3
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	FLATPACK
eak_reflow_temperature__cel_	NOT APPLICABLE
wer_supplies__v_	12/18
qualification_status	COMMERCIAL
screening_level	38535V;38534K;883S
seated_height_max	2.92 mm
sub_category	MOSFET Drivers
额定供电电压	15 V
最小供电电压	12 V
最大供电电压	18 V
表面贴装	YES
工艺	BICMOS
温度等级	MILITARY
端子涂层	MATTE TIN
端子形式	FLAT
端子间距	1.27 mm
端子位置	DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	NOT APPLICABLE
urn_off_time	0.2500 µs
urn_on_time	0.2500 µs
width	6.73 mm

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HS-4424RH, HS-4424BRH

Data Sheet

June 1999

File Number

4739.1

Radiation Hardened Dual, Non-Inverting

Power MOSFET Drivers

The Radiation Hardened HS-4424RH and HS-4424BRH are

non-inverting, dual, monolithic high-speed MOSFET drivers

designed to convert TTL level signals into high current

outputs at voltages up to 18V.

The inputs of these devices are TTL compatible and can be

directly driven by our HS-1825ARH PWM device or by our

ACS/ACTS and HCS/HCTS type logic devices. The fast rise

times and high current outputs allow very quick control of

high gate capacitance power MOSFETs, like our Rad Hard

FS055, in high frequency applications.

The high current outputs minimize power losses in

MOSFETs by rapidly charging and discharging the gate

capacitance. The output stage incorporates a low voltage

lock-out circuit that puts the outputs into a three-state mode

when the supply voltage drops below 10V for the

HS-4424RH and 7.5V for the HS-4424BRH.

Constructed with the Intersil dielectrically isolated Rad Hard

Silicon Gate (RSG) BiCMOS process, these devices are

immune to Single Event Latch-up and have been speciﬁcally

designed to provide highly reliable performance in harsh

radiation environments.

Speciﬁcations for Rad Hard QML devices are controlled

by the Defense Supply Center in Columbus (DSCC). The

SMD numbers listed here must be used when ordering.

Detailed Electrical Speciﬁcations for these devices are

contained in SMD 5962-99560. A “hot-link” is provided

on our homepage for downloading.

www.intersil.com/spacedefense/space.asp

Features

• Electrically Screened to DESC SMD # 5962-99560

• QML Qualiﬁed per MIL-PRF-38535 Requirements

• Radiation Environment

- Total Dose (Max). . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 x 10

RAD(SI)

- Latch-Up Immune

- Low Dose Rate Immune

• I

PEAK

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . >2A (Min)

• Matched Rise and Fall Times (C

= 4300pF). . . 75ns (Max)

• Low Voltage Lock-Out Feature

- HS-4424RH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . < 10.0V

- HS-4424BRH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . < 7.5V

• Wide Supply Voltage Range. . . . . . . . . . . . . . . 12V to 18V

• Prop Delay . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250ns (Max)

• Consistent Delay Times with V

Changes

• Low Power Consumption

- 40mW with Inputs High

- 20mW with Inputs Low

• Low Equivalent Input Capacitance . . . . . . . . . .3.2pF (Typ)

• ESD Protected . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . >4000V

Applications

• Switching Power Supplies

• DC/DC Converters

• Motor Controllers

Ordering Information

ORDERING NUMBER

5962F9956001VXC

5962F9956001QXC

HS9-4424RH/Proto

5962F9956002VXC

5962F9956002QXC

HS9-4424BRH/Proto

INTERNAL

MKT. NUMBER

HS9-4424RH-Q

HS9-4424RH-8

HS9-4424RH/Proto

HS9-4424BRH-Q

HS9-4424BRH-8

HS9-4424BRH/Proto

TEMP. RANGE

(

-55 to 125

Pinout

HS-4424RH, HS-4424BRH (FLATPACK CDFP4-F16)

TOP VIEW

IN A

GND A

GND B

IN B

OUT A

OUT B

NOTE: Pins 4 and 5, 10 and 11, 12 and 13, 14 and 15 are double-

bonded to their same electrical points on the die.

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.

1-888-INTERSIL or 321-724-7143

Intersil Corporation 1999

HS-4424BRH相似产品对比

	HS-4424BRH	HS-4424RH	HS9-4424BRH	HS9-4424BRH-Q	HS9-4424RH	HS9-4424RH-8	HS9-4424RH-Q
描述	2 A 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16	2 A 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16	2 A 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16	2 A 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16	2 A 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16	2 A 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16	2 A 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16
功能数量	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	16	16	16	16	16	16	16
最小工作温度	-55 Cel	-55 Cel	-55 Cel	-55 Cel	-55 Cel	-55 Cel	-55 Cel
最大工作温度	125 Cel	125 Cel	125 Cel	125 Cel	125 Cel	125 Cel	125 Cel
加工封装描述	CERAMIC, DFP-16	CERAMIC, DFP-16	CERAMIC, DFP-16	CERAMIC, DFP-16	CERAMIC, DFP-16	CERAMIC, DFP-16	CERAMIC, DFP-16
each_compli	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
状态	Active	Active	Active	Active	Active	Active	Active
接口类型	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
高端驱动器	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
jesd_30_code	R-CDFP-F16	R-CDFP-F16	R-CDFP-F16	R-CDFP-F16	R-CDFP-F16	R-CDFP-F16	R-CDFP-F16
jesd_609_code	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e3
moisture_sensitivity_level	NOT APPLICABLE	NOT APPLICABLE	NOT APPLICABLE	NOT APPLICABLE	NOT APPLICABLE	NOT APPLICABLE	NOT APPLICABLE
额定输出峰值电流限制	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A	2 A
包装材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
ckage_code	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP
ckage_equivalence_code	FL16,.3	FL16,.3	FL16,.3	FL16,.3	FL16,.3	FL16,.3	FL16,.3
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
包装尺寸	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK
eak_reflow_temperature__cel_	NOT APPLICABLE	NOT APPLICABLE	NOT APPLICABLE	NOT APPLICABLE	NOT APPLICABLE	NOT APPLICABLE	NOT APPLICABLE
wer_supplies__v_	12/18	12/18	12/18	12/18	12/18	12/18	12/18
qualification_status	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
screening_level	38535V;38534K;883S	38535V;38534K;883S	38535V;38534K;883S	38535V;38534K;883S	38535V;38534K;883S	38535V;38534K;883S	38535V;38534K;883S
seated_height_max	2.92 mm	2.92 mm	2.92 mm	2.92 mm	2.92 mm	2.92 mm	2.92 mm
sub_category	MOSFET Drivers	MOSFET Drivers	MOSFET Drivers	MOSFET Drivers	MOSFET Drivers	MOSFET Drivers	MOSFET Drivers
额定供电电压	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V
最小供电电压	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V
最大供电电压	18 V	18 V	18 V	18 V	18 V	18 V	18 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
工艺	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子涂层	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子间距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
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width	6.73 mm	6.73 mm	6.73 mm	6.73 mm	6.73 mm	6.73 mm	6.73 mm

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