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HB52A89DB-10L: 产品描述Synchronous DRAM Module, 8MX8, 9ns, CMOS, ZIG ZAG DUAL TAB SOCKET TYPE, DIMM-144; 产品类别存储存储; 文件大小583KB，共57页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB52A89DB-10L概述

Synchronous DRAM Module, 8MX8, 9ns, CMOS, ZIG ZAG DUAL TAB SOCKET TYPE, DIMM-144

HB52A89DB-10L规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM144,32
针数	144
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	9 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM
最大时钟频率 (fCLK)	66 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XZMA-N144
长度	67.6 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C
最低工作温度
组织	8MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	26.67 mm
自我刷新	YES
最大待机电流	0.018 A
最大压摆率	1.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.8 mm
端子位置	ZIG-ZAG
宽度	3.8 mm
Base Number Matches	1

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HB52A89DB Series

64 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM

8-Mword

72-bit, 66 MHz Memory Bus, 1-Bank Module

(7 pcs of 8 M

8 and 1 pc of 8 M

16 components)

ADE-203-913A (Z)

Rev. 1.0

Oct. 15, 1998

Description

The HB52A89DB is a 8M

1 bank Synchronous Dynamic RAM Small Outline Dual In-line Memory

Module (S.O.DIMM), mounted 7 piece of 64-Mbit SDRAM (HM5264805TT/LTT) sealed in TSOP

package, 1 piece of 128-Mbit SDRAM (HM5212165TD/LTD) sealed in TSOP package, and 1 piece of

serial EEPROM (2-kbit EEPROM) for Presence Detect (PD). An outline of the product is 144-pin Zig Zag

Dual tabs socket type compact and thin package. Therefore, it makes high density mounting possible

without surface mount technology. It provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors

are mounted beside TSOP on the module board.

Features

•

Fully compatible with JEDEC standard outline unbuffered 8-byte S.O.DIMM

•

144-pin Zig Zag Dual tabs socket type



Outline: 67.60 mm (Length)

26.67 mm (Height)

3.80 mm (Thickness)



Lead pitch: 0.80 mm

•

3.3 V power supply

•

Clock frequency: 66 MHz

•

LVTTL interface

•

Data bus width:

72 ECC

•

Single pulsed

RAS

•

4 Banks can operates simultaneously and independently

•

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

•

Programmable burst length : 1/2/4/8/full page

•

2 Variations of burst sequence



Sequential



Interleave

•

Programmable

latency: 2/3

•

Byte control by DQMB

•

Refresh cycles: 4096 refresh cycles/64 ms

•

2 variations of refresh

HB52A89DB-10L相似产品对比

	HB52A89DB-10L	HB52A89DB-10
描述	Synchronous DRAM Module, 8MX8, 9ns, CMOS, ZIG ZAG DUAL TAB SOCKET TYPE, DIMM-144	Synchronous DRAM Module, 8MX8, 9ns, CMOS, ZIG ZAG DUAL TAB SOCKET TYPE, DIMM-144
零件包装代码	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32
针数	144	144
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	9 ns	9 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM	AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM
最大时钟频率 (fCLK)	66 MHz	66 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XZMA-N144	R-XZMA-N144
长度	67.6 mm	67.6 mm
内存密度	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	8	8
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	144	144
字数	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C	65 °C
组织	8MX8	8MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096
座面最大高度	26.67 mm	26.67 mm
自我刷新	YES	YES
最大待机电流	0.018 A	0.018 A
最大压摆率	1.08 mA	1.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG
宽度	3.8 mm	3.8 mm
Base Number Matches	1	1

HB52A89DB-10L

HB52A89DB-10L概述

HB52A89DB-10L规格参数

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