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HY51C1002S-10

产品描述Static Column DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDIP18
产品类别存储    存储   
文件大小824KB,共15页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY51C1002S-10概述

Static Column DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDIP18

HY51C1002S-10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
包装说明DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间100 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STATIC COLUMN DRAM
内存宽度1
端子数量18
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
最大待机电流0.003 A
最大压摆率0.075 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1
代码不知道哪错了,好纠结
module stimulus; wire newspaper; reg coin; reg clock,reset; vend sb(coin,newspaper,clock,reset);initial $monitor($time, , , ,"Coin = %b Newspaper = %b Reset=%b",coin,newspape ......
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