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DS2430E

产品描述Memory Circuit, 32X8, CMOS, PDSO20, TSSOP, 20 PIN
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文件大小320KB,共10页
制造商DALLAS
官网地址http://www.dalsemi.com
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DS2430E概述

Memory Circuit, 32X8, CMOS, PDSO20, TSSOP, 20 PIN

DS2430E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明TSSOP, 20 PIN
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间15000 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G20
JESD-609代码e0
内存密度256 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度8
功能数量1
端子数量20
字数32 words
字数代码32
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP20,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流1.5e-7 A
最大压摆率0.0005 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

DS2430E相似产品对比

DS2430E DS2430Z
描述 Memory Circuit, 32X8, CMOS, PDSO20, TSSOP, 20 PIN Memory Circuit, 32X8, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 TSSOP, 20 PIN 0.150 INCH, SOIC-8
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 15000 ns 15000 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G20 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 256 bit 256 bit
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 20 8
字数 32 words 32 words
字数代码 32 32
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 32X8 32X8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP SOP
封装等效代码 TSSOP20,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3/5 V 3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 1.5e-7 A 1.5e-7 A
最大压摆率 0.0005 mA 0.0005 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.635 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1
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