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HSCH-6512F01

产品描述Mixer Diode, Medium Barrier, L Band to KU Band, 6.2dB Noise Figure, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小134KB,共5页
制造商Broadcom(博通)
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HSCH-6512F01概述

Mixer Diode, Medium Barrier, L Band to KU Band, 6.2dB Noise Figure, Silicon

HSCH-6512F01规格参数

参数名称属性值
厂商名称Broadcom(博通)
包装说明O-CRDB-F3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FORMED LEADS
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容0.27 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带L BAND TO KU BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F3
JESD-609代码e3
最大噪声指数6.2 dB
元件数量2
端子数量3
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
脉冲输入最大功率0.3 W
脉冲输入功率最小值1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层MATTE TIN
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
肖特基势垒类型MEDIUM BARRIER
Base Number Matches1
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