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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> GS8050BU/E7
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GS8050BU/E7

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小46KB，共3页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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GS8050BU/E7概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN

GS8050BU/E7规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)85
JEDEC-95代码TO-226AA
JESD-30 代码O-PBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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GS8050xU
New Product
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Small Signal Transistors (NPN)
TO-226AA (TO-92)
0.181 (4.6)
min. 0.492 (12.5) 0.181 (4.6)
0.142 (3.6)
Features
•
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for amplifier
applications. Especially suitable for low power output
stages such as portable radios in class-B push-pull
operation.
• Complementary to GS8550xU
• The “x” in the part number can be B, C or D, depending
on the current gain.
Mechanical Data
Case:
TO-92 Plastic Package
Weight:
approx. 0.18g
Packaging Codes/Options:
E6/Bulk - 5K per container, 20K per box
E7/4K per Ammo mag., 20K per box
max.
∅
0.022 (0.55)
0.098 (2.5)
Bottom
View
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation at T
amb
= 25°C
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
R
θJA
T
j
T
S
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified
Value
40
25
6
800
625
(1)
200
(1)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C/W
°C
°C
Notes:
(1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 2mm from case
Document Number 88193
09-May-02
www.vishay.com
1

GS8050BU/E7相似产品对比

GS8050BU/E7 GS8050BU/E6 GS8050CU/E7 GS8050DU/E6 GS8050DU/E7 GS8050CU/E6
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V 25 V 25 V 25 V 25 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 85 85 120 160 160 120
JEDEC-95代码 TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.625 W 0.625 W 0.625 W 0.625 W 0.625 W 0.625 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 -

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