Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) |
| 零件包装代码 | DFP |
| 包装说明 | DFP, |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 30 ns |
| JESD-30 代码 | R-XDFP-F32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 20.825 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class Q |
| 座面最大高度 | 2.72 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 10.415 mm |
| Base Number Matches | 1 |

| 5962-8959847QZA | BLU0805P-2083-QT50Q | 5962-8959847VZA | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.125W, 208000ohm, 100V, 0.02% +/-Tol, 50ppm/Cel, 0805, | Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32 |
| Reach Compliance Code | unknown | compliant | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | EAR99 | 3A001.A.2.C |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 端子数量 | 32 | 2 | 32 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 155 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装形式 | FLATPACK | SMT | IN-LINE |
| 技术 | CMOS | THIN FILM | CMOS |
| 端子面层 | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn90Pb10) - with Nickel (Ni) barrier | TIN LEAD |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) | - | Atmel (Microchip) |
| 零件包装代码 | DFP | - | DIP |
| 包装说明 | DFP, | - | DIP, |
| 针数 | 32 | - | 32 |
| 最长访问时间 | 30 ns | - | 30 ns |
| JESD-30 代码 | R-XDFP-F32 | - | R-CDIP-T32 |
| 长度 | 20.825 mm | - | 40.64 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit | - | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | - | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 | - | 8 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 |
| 字数 | 131072 words | - | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | - | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS |
| 组织 | 128KX8 | - | 128KX8 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DFP | - | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class Q | - | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度 | 2.72 mm | - | 4.32 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | - | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V |
| 表面贴装 | YES | - | NO |
| 温度等级 | MILITARY | - | MILITARY |
| 端子形式 | FLAT | - | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | - | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL |
| 宽度 | 10.415 mm | - | 10.16 mm |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 |
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