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5962-8959847QZA

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32
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文件大小730KB,共15页
制造商Atmel (Microchip)
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5962-8959847QZA概述

Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32

5962-8959847QZA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码DFP
包装说明DFP,
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间30 ns
JESD-30 代码R-XDFP-F32
JESD-609代码e0
长度20.825 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度2.72 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.415 mm
Base Number Matches1

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Features
Operating Voltage: 5V
Access Time: 30, 45 ns
Very Low Power Consumption
– Active: 250 mW (Typ)
– Standby: 1 µW (Typ)
– Data Retention: 0.5 µW (Typ)
Wide Temperature Range: -55°C to +125°C
400 Mils Width Packages: FP32 and SB32
TTL Compatible Inputs and Outputs
Asynchronous
Single 5V Supply
Equal Cycle and Access Time
Gated Inputs:
– No Pull-up/down
– Resistors Are Required
QML Q and V with SMD 5962-89598
Rad. Tolerant
128K x 8
Very Low Power
5V CMOS SRAM
M65608E
Description
The M65608E is a very low power CMOS static RAM organized as 131072 x 8 bits.
Atmel brings the solution to applications where fast computing is as mandatory as low
consumption, such as aerospace electronics, portable instruments, or embarked
systems.
Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, the M65608E combines an
extremely low standby supply current (Typical value = 0.2 µA) with a fast access time
at 30 ns over the full military temperature range. The high stability of the 6T cell pro-
vides excellent protection against soft errors due to noise.
The M65608E is processed according to the methods of the latest revision of the MIL
STD 883 (class B or S), ESA SCC 9000 or QML.
Rev. 4151H–AERO–06/03
1

5962-8959847QZA相似产品对比

5962-8959847QZA BLU0805P-2083-QT50Q 5962-8959847VZA
描述 Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32 Fixed Resistor, Thin Film, 0.125W, 208000ohm, 100V, 0.02% +/-Tol, 50ppm/Cel, 0805, Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32
Reach Compliance Code unknown compliant unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C EAR99 3A001.A.2.C
JESD-609代码 e0 e0 e0
端子数量 32 2 32
最高工作温度 125 °C 155 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
封装形式 FLATPACK SMT IN-LINE
技术 CMOS THIN FILM CMOS
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn90Pb10) - with Nickel (Ni) barrier TIN LEAD
厂商名称 Atmel (Microchip) - Atmel (Microchip)
零件包装代码 DFP - DIP
包装说明 DFP, - DIP,
针数 32 - 32
最长访问时间 30 ns - 30 ns
JESD-30 代码 R-XDFP-F32 - R-CDIP-T32
长度 20.825 mm - 40.64 mm
内存密度 1048576 bit - 1048576 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM - STANDARD SRAM
内存宽度 8 - 8
功能数量 1 - 1
字数 131072 words - 131072 words
字数代码 128000 - 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS
组织 128KX8 - 128KX8
封装主体材料 UNSPECIFIED - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DFP - DIP
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class Q - MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度 2.72 mm - 4.32 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V - 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V
表面贴装 YES - NO
温度等级 MILITARY - MILITARY
端子形式 FLAT - THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm - 2.54 mm
端子位置 DUAL - DUAL
宽度 10.415 mm - 10.16 mm
Base Number Matches 1 - 1
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