IRHM7054PBF,IRHM7054PBF pdf中文资料,IRHM7054PBF引脚图,IRHM7054PBF电路-Datasheet-电子工程世界

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IRHM7054PBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小111KB，共8页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IRHM7054PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3

IRHM7054PBF规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	AVALANCHE RATED; RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	35 A
最大漏源导通电阻	0.03 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	S-CSFM-P3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	140 A
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

IRHM7054PBF相似产品对比

	IRHM7054PBF	IRHM8054	IRHM8054PBF	IRHM3054	IRHM7054
描述	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	不符合	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3	HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3	FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3	HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3	HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code	compliant	unknown	compliant	compliant	unknown
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V
最大漏极电流 (ID)	35 A	35 A	35 A	35 A	35 A
最大漏源导通电阻	0.03 Ω	0.03 Ω	0.03 Ω	0.03 Ω	0.03 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA
JESD-30 代码	S-CSFM-P3	S-CSFM-P3	S-CSFM-P3	S-CSFM-P3	S-CSFM-P3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	140 A	140 A	140 A	140 A	140 A
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	-	Infineon(英飞凌)
其他特性	AVALANCHE RATED; RADIATION HARDENED	AVALANCHE RATED; RADIATION HARDENED	AVALANCHE RATED; RADIATION HARDENED	-	AVALANCHE RATED; RADIATION HARDENED
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	-	ISOLATED
Base Number Matches	1	1	1	1	-
ECCN代码	-	EAR99	-	EAR99	EAR99
最大漏极电流 (Abs) (ID)	-	35 A	-	35 A	35 A
JESD-609代码	-	e0	-	e0	e0
最大功率耗散 (Abs)	-	150 W	-	150 W	150 W
认证状态	-	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)

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