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JAN2N6383

产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小150KB,共1页
制造商Defense Logistics Agency
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JAN2N6383概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

JAN2N6383规格参数

参数名称属性值
厂商名称Defense Logistics Agency
零件包装代码TO-204AA
包装说明TO-3, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/523B
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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