IC,ANALOG SWITCH,SINGLE,SPDT,CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SPDT |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T14 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 14 |
| 最大通态电阻 (Ron) | 75 Ω |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 最长接通时间 | 500 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| HI1-387/883 | HI2-387/883 | |
|---|---|---|
| 描述 | IC,ANALOG SWITCH,SINGLE,SPDT,CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC | IC,ANALOG SWITCH,SINGLE,SPDT,CMOS,CAN,10PIN,METAL |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 | , CAN10,.23 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SPDT | SPDT |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T14 | O-MBCY-W10 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 14 | 10 |
| 最大通态电阻 (Ron) | 75 Ω | 75 Ω |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC | METAL |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 | CAN10,.23 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | ROUND |
| 封装形式 | IN-LINE | CYLINDRICAL |
| 电源 | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
| 最长接通时间 | 500 ns | 300 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | WIRE |
| 端子位置 | DUAL | BOTTOM |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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