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M28F101-150XK6

产品描述1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY
产品类别存储    存储   
文件大小161KB,共23页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M28F101-150XK6概述

1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY

M28F101-150XK6规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码QFJ
包装说明PLASTIC, LCC-32
针数32
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间150 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
长度13.995 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压12 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.56 mm
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度11.455 mm
Base Number Matches1
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