M28F256-10XB3TR,M28F256-10XB3TR pdf中文资料,M28F256-10XB3TR引脚图,M28F256-10XB3TR电路-Datasheet-电子工程世界

M28F256-10XB3TR: 产品描述256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY; 产品类别存储存储; 文件大小714KB，共20页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M28F256-10XB3TR概述

256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY

参数名称	属性值
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	32
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	100 ns
其他特性	20 YEARS DATA RETENTION; 10000 ERASE/PROGRAM CYCLES
数据保留时间-最小值	20
JESD-30 代码	R-PDIP-T32
长度	41.91 mm
内存密度	262144 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
编程电压	12 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
类型	NOR TYPE
宽度	15.24 mm

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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