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IDT7130LA35L52B

产品描述Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, LCC-52
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文件大小530KB,共17页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7130LA35L52B概述

Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, LCC-52

IDT7130LA35L52B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码LCC
包装说明LCC-52
针数52
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间35 ns
其他特性INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CQCC-N52
JESD-609代码e0
长度19.05 mm
内存密度8192 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量2
端子数量52
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装等效代码LCC52,.75SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度2.2098 mm
最大待机电流0.004 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度19.05 mm
Base Number Matches1
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