32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | 6.39 X 6.37 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-47 |
针数 | 47 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
最长访问时间 | 100 ns |
其他特性 | TOP BOOT BLOCK |
启动块 | TOP |
命令用户界面 | YES |
通用闪存接口 | YES |
数据轮询 | NO |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B47 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 6.39 mm |
内存密度 | 33554432 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 8,63 |
端子数量 | 47 |
字数 | 2097152 words |
字数代码 | 2000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 2MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装等效代码 | BGA47,6X8,30 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 1.8/2.5,3/3.3 V |
编程电压 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
部门规模 | 4K,32K |
最大待机电流 | 0.000005 A |
最大压摆率 | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.75 mm |
端子位置 | BOTTOM |
切换位 | NO |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 6.37 mm |
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