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BN1F4Z-K

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小108KB,共4页
制造商NEC(日电)
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BN1F4Z-K概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

BN1F4Z-K规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)300
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)6000 ns
最大开启时间(吨)200 ns
Base Number Matches1

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DATA SHEET
COMPOUND TRANSISTOR
BN1F4Z
on-chip resistor PNP silicon epitaxial transistor
For mid-speed switching
FEATURES
• On-chip bias resistor
(R
1
= 22 kΩ)
• Complementary transistor with BA1F4Z
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)
°
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current (DC)
Collector current (Pulse)
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C(DC)
I
C(pulse)
*
P
T
T
j
T
stg
Ratings
−60
−50
−5
−100
−200
250
150
−55
to +150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
* PW
10 ms, duty cycle
50 %
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)
°
Parameter
Collector cutoff current
DC current gain
DC current gain
Collector saturation voltage
Low level input voltage
High level input voltage
Input resistance
Turn-on time
Storage time
Turn-off time
Symbol
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
V
CE(sat)
**
V
IL
**
V
IH
**
R
1
t
on
t
stg
t
off
V
CC
=
−5.0
V, R
L
= 1.0 kΩ
V
I
=
−5.0
V, PW = 2.0
µ
s
duty cycle≤2 %
Conditions
V
CB
=
−50
V, I
E
= 0
V
CE
=
−5.0
V, I
C
=
−5.0
mA
V
CE
=
−5.0
V, I
C
=
−50
mA
I
C
=
−5.0
mA, I
B
=
−0.25
mA
V
CE
=
−5.0
V, I
C
=
−100
µ
A
V
CE
=
−0.2
V, I
C
=
−5.0
mA
−3.0
15.4
135
100
280
200
−0.06
−0.57
−1.1
22
28.6
0.2
5.0
6.0
−0.2
−0.5
MIN.
TYP.
MAX.
100
600
Unit
nA
V
V
V
kΩ
µ
s
µ
s
µ
s
** Pulse test PW
350
µ
s, duty cycle
2 %
h
FE
CLASSIFICATION
Marking
h
FE1
Q
135 to 270
P
200 to 400
K
300 to 600
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. D13586EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published April 2002 N CP(K)
Printed in Japan
©
2002
1998

BN1F4Z-K相似产品对比

BN1F4Z-K BN1F4Z-A BN1F4Z-P BN1F4Z-Q
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR BUILT-IN BIAS RESISTOR BUILT-IN BIAS RESISTOR BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 300 100 200 135
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 6000 ns 6000 ns 6000 ns 6000 ns
最大开启时间(吨) 200 ns 200 ns 200 ns 200 ns
Base Number Matches 1 1 1 1
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