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IDT7143L70GB

产品描述Multi-Port SRAM, 2KX16, 70ns, CMOS, CPGA68, CAVITY-UP, CERAMIC, PGA-68
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文件大小397KB,共14页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7143L70GB概述

Multi-Port SRAM, 2KX16, 70ns, CMOS, CPGA68, CAVITY-UP, CERAMIC, PGA-68

IDT7143L70GB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码PGA
包装说明CAVITY-UP, CERAMIC, PGA-68
针数68
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间70 ns
其他特性AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CPGA-P68
JESD-609代码e0
长度29.464 mm
内存密度32768 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量2
端子数量68
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织2KX16
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码PGA
封装等效代码PGA68,11X11
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度5.207 mm
最大待机电流0.004 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度29.464 mm
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